FotonMag

Britská společnost Plessey úspěšně vytvořila monolitickou micro LED na bázi GaN-on-Si, která bude určena pro aplikaci v SMART zobrazovacích nosičích. Mezi tyto aplikace patří například náhlavní soupravy pro rozšířenou realitu (AR), hlavové displeje (HUD) a další SMART nosiče, které vstupují na masový trh.

Micro LED jsou perfektní pro použití v nositelných chytrých zařízeních, hlavně pro vysoký kontrast a jas, vysokou rychlost, široký pozorovací úhel a nízkou energetickou náročnost.

Současné výroba mikro LED není vzhledem k jejich malé velikosti vůbec snadná. S využitím technologie „pick-and-place“ musí být jednotlivé Micro LED umístěny na ploše menší než 50 mikronů. Využívané zařízení je poměrně drahé a málo produktivní, proto stále rostoucí tržní poptávka po vyšší hustotě a výběru pixelů může tuto technologii zcela umrtvit.

Plessey vyvinulo micro LED vyrobené z nitridu galia na substrátu křemíku (GaN-on-Si), místo obvyklé používaného safíru. GaN-on-Si umožňuje vytvoření monolitických mikro LED, které obsahují více zářičů na jednom čipu. Tento přístup přináší klíčové výhody, jako například menší rozteč pixelů na pouhých 8 mikronů a možnost vyrábět větší LED zářiče s lepším kontrastem, díky povrchovým vlastnostem GaN-on-Si. Tato technologie tak může být snadno upravena v aplikacích pro větší plochy jak 200 mm, což snižuje náklady a zvyšuje výnos.

Technologický pokrok řeší nedostatky tradiční výroby „pick-and-place“ a dává micro LED technologii potenciál pro splnění náročných požadavků SMART zobrazovacích aplikací. Monolitický přístup navíc umožňuje postavit Micro LED na silikonové základní desce CMOS, takže standardní obvody CMOS se snadno integrují i pro velmi náročné aplikace.

Zdroj: ledinside.com